國立中山大學學士學位證書模板|台灣學歷辦理|仿製國立中山大學畢業證書
國立中山大學晶體研究中心率先全台實驗室，成功研發直徑6吋的碳化矽晶體塊材。7月起技轉台灣應用晶體公司，簽訂5年新台幣5000萬技術移轉案，助攻台灣半導體材料。中山大學今天發布新聞稿指出，全球已面臨數年晶片荒，長晶速度與穩定品質成為決勝關鍵，中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代半導體碳化矽（SiC）的實驗室，已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材。中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體中心主任周明奇指出，研發過程···
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國立中山大學晶體研究中心率先全台實驗室，成功研發直徑6吋的碳化矽晶體塊材。7月起技轉台灣應用晶體公司，簽訂5年新台幣5000萬技術移轉案，助攻台灣半導體材料。
中山大學今天發布新聞稿指出，全球已面臨數年晶片荒，長晶速度與穩定品質成為決勝關鍵，中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代半導體碳化矽（SiC）的實驗室，已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材。
中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體中心主任周明奇指出，研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業，除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級，今年7月起技轉，簽訂5年5000萬技術移轉案，助攻台灣半導體材料領航優勢。
周明奇強調，第三類（次世代）半導體材料碳化矽晶體是國家的重要戰略物資，可應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域。中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功研發6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。
中山大學指出，在研發過程中中山大學團隊攜手台灣企業共同創新，例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100%MIT，長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料更有賴高雄企業應援。
周明奇表示，7月起中山大學將6吋碳化矽晶體相關技術移轉至台灣應用晶體公司及其所屬集團，並簽訂5年5千萬的高額技轉案，以每年1000萬元專屬授權買斷合約形式進行，這也代表該集團正式跨入次世代半導體領域。
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